TP90H180PS

Transphorm

Produkt-Nr.:

TP90H180PS

Hersteller:

Paket:

TO-220AB

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Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 900V 15A TO220AB

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	780 pF @ 600 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 8 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	205mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 500µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	78W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15A (Tc)
Mfr	Transphorm
Vgs (Max)	±18V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TP90H180