Transphorm, Inc. ist ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution und entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungsanwendungen zur Leistungswandlung. Transphorm verfügt über eines der größten Power-GaN-IP-Portfolios mit mehr als 1000 eigenen oder lizenzierten Patenten und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das vertikal integrierte Geschäftsmodell des Unternehmens ermöglicht Innovationen in jeder Entwicklungsphase: Design, Herstellung, Komponenten und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und ermöglichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 40 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, und verfügt über Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan.