TP65H035G4WS

Transphorm

Produkt-Nr.:

TP65H035G4WS

Hersteller:

Paket:

TO-247-3

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 362

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1500 pF @ 400 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 0 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Supplier Device Package	TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id	4.8V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	650 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	156W (Tc)
Package / Case	TO-247-3
Technology	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46.5A (Tc)
Mfr	Transphorm
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TP65H035