SUM70040M-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SUM70040M-GE3

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Paket:

TO-263-7

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5100 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	120 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.8mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package	TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	375W (Tc)
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SUM70040