SQJ886EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQJ886EP-T1_BE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SO-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2922 pF @ 20 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	55W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)