SQ2364EES-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQ2364EES-T1_GE3

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 2A SOT23-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 40004

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	2.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	240mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQ2364