SQ2360EES-T1-GE3
Vishay Siliconix
Produkt-Nr.:
SQ2360EES-T1-GE3
Hersteller:
Paket:
SOT-23-3 (TO-236)
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 25 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.4A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Base Product Number | SQ2360 |
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