SQ2351ES-T1_GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SQ2351ES-T1_GE3

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SOT-23-3 (TO-236)

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3

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Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Last Time Buy
Rds On (Max) @ Id, Vgs	115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.2A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SQ2351