SIUD403ED-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIUD403ED-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 0806

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 500MA PPAK 0806

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	31 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.25Ohm @ 300mA, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 0806
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET® Gen III
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Package / Case	PowerPAK® 0806
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIUD403