SISS5108DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SISS5108DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8S

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Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1150 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8S
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	15.4A (Ta), 55.9A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SISS5108