SIS435DNT-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIS435DNT-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 30A PPAK1212-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5700 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	180 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.4mOhm @ 13A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.7W (Ta), 39W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIS435