SIHP6N80E-BE3
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SIHP6N80E-BE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIHP6N80E-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-220AB

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

N-CHANNEL 800V

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 827 pF @ 100 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 940mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device Package TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 800 V
Series E
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.4A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube