SIDR392DP-T1-RE3
detaildesc

SIDR392DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIDR392DP-T1-RE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

PowerPAK® SO-8DC

Charge:

-

Datenblatt:

pdf

Beschreibung:

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

Menge:

Lieferung:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

Zahlung:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

Auf Lager : 3920

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

  • 1

    $2.755

    $2.755

  • 10

    $2.31515

    $23.1515

  • 100

    $1.87321

    $187.321

  • 500

    $1.665084

    $832.542

  • 1000

    $1.425722

    $1425.722

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06

Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 9530 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 188 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.62mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package PowerPAK® SO-8DC
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series TrenchFET® Gen IV
Power Dissipation (Max) 6.25W (Ta), 125W (Tc)
Package / Case PowerPAK® SO-8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 82A (Ta), 100A (Tc)
Mfr Vishay Siliconix
Vgs (Max) +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)