SIA413DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SIA413DJ-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SC-70-6

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1800 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	57 nC @ 8 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Supplier Device Package	PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	12 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® SC-70-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SIA413