SI7386DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI7386DP-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® SO-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7mOhm @ 19A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	1.8W (Ta)
Package / Case	PowerPAK® SO-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7386