SI7322DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI7322DN-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 328

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	750 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 5.5A, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4.4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7322