SI7117DN-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI7117DN-T1-E3

Hersteller:

Paket:

PowerPAK® 1212-8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	510 pF @ 25 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package	PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Package / Case	PowerPAK® 1212-8
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.17A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI7117