SI4465ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI4465ADY-T1-GE3

Hersteller:

Paket:

8-SOIC

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 8V 8SOIC

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 2448

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	85 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 14A, 4.5V
Supplier Device Package	8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	8 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	3W (Ta), 6.5W (Tc)
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.7A (Ta), 20A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI4465