SI4462DY-T1-E3
Vishay Siliconix
Produkt-Nr.:
SI4462DY-T1-E3
Hersteller:
Paket:
8-SOIC
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC
Menge:
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9 nC @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 480mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Series | - |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.15A (Ta) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Base Product Number | SI4462 |
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