SI3438DV-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI3438DV-T1-E3

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Paket:

6-TSOP

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	640 pF @ 20 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package	6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 3.5W (Tc)
Package / Case	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.4A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI3438