SI2374DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI2374DS-T1-BE3

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SOT-23-3 (TO-236)

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Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	735 pF @ 10 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 4A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.5A (Ta), 5.9A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)