SI2351DS-T1-E3
Vishay Siliconix
Produkt-Nr.:
SI2351DS-T1-E3
Hersteller:
Paket:
SOT-23-3 (TO-236)
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Menge:
Lieferung:
Zahlung:
Auf Lager : Bitte Anfrage
Bitte senden Sie RFQ, wir werden sofort antworten.
Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 250 pF @ 10 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.8A (Tc) |
| Mfr | Vishay Siliconix |
| Package | Cut Tape (CT) |
| Base Product Number | SI2351 |
SI2351DS-T1-E3 Verwandte Blog
Purchase must see! Electronic component selection from entry to give up
2025-09-25 4
Grundkenntnisse in Kristalloszillatoren, Schaltungsdesign, Ursachen für Vibrationsausfall, Schaltungsprinzipien, Kristallfrequenz und Anwendungen digitaler Schaltungen (Download von Kristalloszillatordaten)
2024-04-08 3
Order transfer! A 30-year old Hong Kong-owned PCB factory in Shenzhen was sold
2024-02-22 5
New product release | Daoheshun infrared methane sensor, guarding the "last pass" of gas safety
2024-02-22 3
2000+Tägliches durchschnitt liches RFQ-Volumen
30,000,000Standard produkt einheit
2800+Weltweit Hersteller
15,000 ㎡Lager auf Lager
Schnelle Links
CopyRight © 道合顺 2013 - 2022 粤ICP备18104022号 粤公网安备 44030402004525号