SI2301BDS-T1-E3

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

SI2301BDS-T1-E3

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3 (TO-236)

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 38082

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	375 pF @ 6 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 2.8A, 4.5V
Supplier Device Package	SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id	950mV @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	TrenchFET®
Power Dissipation (Max)	700mW (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SI2301