IRFBF30PBF

Vishay Siliconix

Produkt-Nr.:

IRFBF30PBF

Hersteller:

Paket:

TO-220AB

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 817

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1200 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7Ohm @ 2.2A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Tc)
Mfr	Vishay Siliconix
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	IRFBF30