GT30J121(Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
Produkt-Nr.:
GT30J121(Q)
Hersteller:
Paket:
TO-3P(N)
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Input Type | Standard |
| Test Condition | 300V, 30A, 24Ohm, 15V |
| Switching Energy | 1mJ (on), 800µJ (off) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 30 A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Td (on/off) @ 25°C | 90ns/300ns |
| Supplier Device Package | TO-3P(N) |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Series | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Power - Max | 170 W |
| Mfr | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Package | Tube |
| IGBT Type | - |
| Base Product Number | GT30J121 |
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