GT15J341,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

GT15J341,S4X

Hersteller:

Paket:

TO-220SIS

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

PB-F DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 50

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
Input Type	Standard
Test Condition	300V, 15A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	80 ns
Switching Energy	300µJ (on), 300µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max)	15 A
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V
Td (on/off) @ 25°C	60ns/170ns
Supplier Device Package	TO-220SIS
Current - Collector Pulsed (Icm)	60 A
Series	-
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 15A
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Power - Max	30 W
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tube
IGBT Type	-