EPC2016C

EPC

Produkt-Nr.:

EPC2016C

Hersteller:

Paket:

Die

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

GANFET N-CH 100V 18A DIE

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 188372

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	420 pF @ 50 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	4.5 nC @ 5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	16mOhm @ 11A, 5V
Supplier Device Package	Die
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 3mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Series	eGaN®
Power Dissipation (Max)	-
Package / Case	Die
Technology	GaNFET (Gallium Nitride)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	18A (Ta)
Mfr	EPC
Vgs (Max)	+6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	EPC20