EPC2016
EPC
Produkt-Nr.:
EPC2016
Hersteller:
Paket:
Die
Charge:
-
Datenblatt:
Beschreibung:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| FET Feature | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 520 pF @ 50 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.2 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
| Supplier Device Package | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Series | eGaN® |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Package / Case | Die |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Mfr | EPC |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Base Product Number | EPC20 |
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