TSM80N1R2CP

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

TSM80N1R2CP

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Forfait:

TO-252, (D-Pak)

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Fiche technique:

Description:

800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	685 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.75A, 10V
Supplier Device Package	TO-252, (D-Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM80