TSM10NC65CF
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TSM10NC65CF

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

TSM10NC65CF

Forfait:

ITO-220S

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

650V, 10A, SINGLE N-CHANNEL POWE

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1650 pF @ 50 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 900mOhm @ 2A, 10V
Supplier Device Package ITO-220S
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 650 V
Series -
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tube
Base Product Number TSM10