TSM085P03CV

Taiwan Semiconductor Corporation

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TSM085P03CV

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8-PDFN (3.1x3.1)

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-30, -64, SINGLE P-CHANNEL

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Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3234 pF @ 15 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5mOhm @ 14A, 10V
Supplier Device Package	8-PDFN (3.1x3.1)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.4W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case	8-PowerWDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	14A (Ta), 64A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TSM085