TSM80N1R2CL

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

TSM80N1R2CL

Fabricant:

Forfait:

I2PAK

Lot:

Fiche technique:

Description:

800V, 5.5A, SINGLE N-CHANNEL POW

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Nom du contact

Courriel

Nom de l'entreprise

Pays

Quantité

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	685 pF @ 100 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.4 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 1.8A, 10V
Supplier Device Package	I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5.5A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TSM80