TSM2N100CH C5G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

TSM2N100CH C5G

Fabricant:

Forfait:

TO-251 (IPAK)

Lot:

Fiche technique:

Description:

MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO251

Quantité:

Livraison:

Paiement:

En stock : S'il vous plaît enquête

S'il vous plaît envoyez RFQ, nous vous répondrons immédiatement.

Nom du contact

Courriel

Nom de l'entreprise

Pays

Quantité

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5Ohm @ 900mA, 10V
Supplier Device Package	TO-251 (IPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	77W (Tc)
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.85A (Tc)
Mfr	Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Tube
Base Product Number	TSM2N100