TSM230N06CI C0G
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TSM230N06CI C0G

Taiwan Semiconductor Corporation

Produit non:

TSM230N06CI C0G

Forfait:

ITO-220

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET N-CH 60V 50A ITO220

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1680 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V
Mounting Type Through Hole
Product Status Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package ITO-220
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Series -
Power Dissipation (Max) 42W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
Mfr Taiwan Semiconductor Corporation
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Bulk