SSM6N15AFE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6N15AFE,LM

Hersteller:

Paket:

ES6

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 3375

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	13.5pF @ 3V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4Ohm @ 10mA, 4V
Supplier Device Package	ES6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	SOT-563, SOT-666
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	150mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100mA
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6N15