SSM6L09FUTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

SSM6L09FUTE85LF

Hersteller:

Paket:

US6

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 5382

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	N and P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Rds On (Max) @ Id, Vgs	700mOhm @ 200MA, 10V
Supplier Device Package	US6
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 100µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Series	-
Package / Case	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	300mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	400mA, 200mA
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	SSM6L09