SDS120J010E3
Sanan Semiconductor
Produkt-Nr.:
SDS120J010E3
Hersteller:
Paket:
TO-263-2L
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
DIODE 1200V-10A TO263-2L
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 780pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-263-2L |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 30 µA @ 1200 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 10 A |
| Mfr | Sanan Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200 V |
| Package | Tube |
| Current - Average Rectified (Io) | 37A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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