SDS065J008C3
Sanan Semiconductor
Produkt-Nr.:
SDS065J008C3
Hersteller:
Paket:
TO-220-2L
Charge:
-
Datenblatt:
-
Beschreibung:
DIODE 650V-8A TO220-2L
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Produkt informationen
Parameter-Info
Benutzer handbuch
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Capacitance @ Vr, F | 395pF @ 0V, 1MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Status | Active |
| Supplier Device Package | TO-220-2L |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 24 µA @ 650 V |
| Series | - |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5 V @ 8 A |
| Mfr | Sanan Semiconductor |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Package | Tube |
| Current - Average Rectified (Io) | 25A |
| Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
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