RX3G07BBGC16

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RX3G07BBGC16

Hersteller:

Paket:

TO-220AB

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 40V 130A, TO-220AB, POWER MO

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 1000

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3540 pF @ 20 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3mOhm @ 70A, 10V
Supplier Device Package	TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	89W (Tc)
Package / Case	TO-220-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	130A (Ta), 70A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tube
Base Product Number	RX3G07