RS6L120BGTB1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RS6L120BGTB1

Hersteller:

Paket:

8-HSOP

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

NCH 60V 150A, HSOP8, POWER MOSFE

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3520 pF @ 30 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	51 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.7mOhm @ 90A, 10V
Supplier Device Package	8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	104W (Tj)
Package / Case	8-PowerTDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	120A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)