RS1E350BNTB1
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RS1E350BNTB1

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RS1E350BNTB1

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

8-HSOP

Charge:

-

Datenblatt:

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Beschreibung:

NCH 30V 80A POWER MOSFET: RS1E35

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7900 pF @ 15 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 185 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 35A, 10V
Supplier Device Package 8-HSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Power Dissipation (Max) 3W (Ta), 35W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Ta), 80A (Tc)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number RS1E