RQ7E110AJTCR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RQ7E110AJTCR

Hersteller:

Paket:

TSMT8

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 11A TSMT8

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 1469

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2410 pF @ 15 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 4.5A, 11V
Supplier Device Package	TSMT8
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 10mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Tc)
Package / Case	8-SMD, Flat Lead
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RQ7E110