RF4C050APTR

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RF4C050APTR

Hersteller:

Paket:

HUML2020L8

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Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5500 pF @ 10 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 5A, 4.5V
Supplier Device Package	HUML2020L8
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2W (Ta)
Package / Case	8-PowerUDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	-8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	RF4C050