RCX200N20

Rohm Semiconductor

Produkt-Nr.:

RCX200N20

Hersteller:

Paket:

TO-220FM

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 20A TO220FM

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Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1900 pF @ 25 V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V
Mounting Type	Through Hole
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	TO-220FM
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss)	200 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	2.23W (Ta), 40W (Tc)
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)
Mfr	Rohm Semiconductor
Vgs (Max)	±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Package	Bulk
Base Product Number	RCX200