BSS138
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BSS138

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Produkt-Nr.:

BSS138

Paket:

SOT-23

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-

Datenblatt:

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Beschreibung:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 27 pF @ 25 V
FET Type N-Channel
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss) 50 V
Series -
Power Dissipation (Max) 350mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 220mA (Ta)
Mfr ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)