AS6004

ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED

Produkt-Nr.:

AS6004

Hersteller:

Paket:

SOT-23-3L

Charge:

Datenblatt:

Beschreibung:

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

Menge:

Lieferung:

Zahlung:

Auf Lager : 14987

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

Nicht der Preis, den Sie wollen? Senden Sie jetzt RFQ und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	930 pF @ 30 V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	25 nC @ 10 V
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package	SOT-23-3L
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Series	-
Power Dissipation (Max)	1.5W (Ta)
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Ta)
Mfr	ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
Vgs (Max)	±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Package	Tape & Reel (TR)