1SS403E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

1SS403E,L3F

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ESC

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DIODE GEN PURP 200V 100MA ESC

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Speed	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr)	60 ns
Capacitance @ Vr, F	3pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type	Surface Mount
Product Status	Active
Supplier Device Package	ESC
Current - Reverse Leakage @ Vr	1 µA @ 200 V
Series	-
Package / Case	SC-79, SOD-523
Technology	Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2 V @ 100 mA
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	200 V
Package	Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io)	100mA
Operating Temperature - Junction	150°C (Max)
Base Product Number	1SS403