1SS307E,L3F
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1SS307E,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

Produkt-Nr.:

1SS307E,L3F

Paket:

SC-79

Charge:

-

Datenblatt:

-

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 80V 100MA SC79

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Produkt informationen

Parameter-Info

Benutzer handbuch

Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Capacitance @ Vr, F 6pF @ 0V, 1MHz
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Supplier Device Package SC-79
Current - Reverse Leakage @ Vr 10 nA @ 80 V
Series -
Package / Case SC-79, SOD-523
Technology Standard
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.3 V @ 100 mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 80 V
Package Tape & Reel (TR)
Current - Average Rectified (Io) 100mA
Operating Temperature - Junction 150°C (Max)
Base Product Number 1SS307