TT8U2TCR
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TT8U2TCR

Rohm Semiconductor

Produit non:

TT8U2TCR

Forfait:

8-TSST

Lot:

-

Fiche technique:

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Description:

MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 850 pF @ 10 V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
Supplier Device Package 8-TSST
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Ta)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number TT8U2