QS5U13TR
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QS5U13TR

Rohm Semiconductor

Produit non:

QS5U13TR

Forfait:

TSMT5

Lot:

-

Fiche technique:

pdf

Description:

MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5

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Information sur le produit

Paramètre Info

Guide de l'utilisateur

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Isolated)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 175 pF @ 10 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Product Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package TSMT5
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 1mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Series -
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Mfr Rohm Semiconductor
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number QS5U13